Компанія IBM створила прилад з рекордно високою для транзисторів на базі графена швидкодією і розширеним діапазоном робочих температур.

Графен — одна з алотропних форм вуглецю, моноатомний шар атомів вуглецю із гексагональною структурою. 

Графен заслужив репутацію перспективного матеріалу для електроніки завдяки гарній рухливості носіїв заряду. Однак коли графеновий аркуш розміщають на діелектричній підкладці (звичайно - на діоксиді кремнію), яка впливає на поводження одноатомного аркуша вуглецю, створює ефект розсіювання носіїв заряду.

Як повідомляє PhysicsWorld, учені з дослідницького центра Уотсона (IBM Thomas J. Watson Research Center) вирішили цю проблему. За допомогою хімічного осадження з пари вони спочатку створили на мідній плівці аркуш графену, а потім перенесли його на основу з алмазоподібного вуглецю, розташовану на традиційній для електроніки кремнієвій пластині.

На цій базі дослідники побудували польовий транзистор із затвором довжиною всього 40 нанометрів. Під час випробувань транзистор показав дуже високу частоту зрізу - 155 ГГц ( Nature).

Крім того, автори приладу перевірили його роботу у кріогенних температурах (вони негативно впливають на рух зарядів у напівпровідникових приладах). З'ясувалося, що новий графеновий транзистор добре себе почуває аж до температури в 4,3 К..

При цьому американці відзначають, що якість використаного графена була не найвищою, тому, досягнуті показники - не межа для нової технології.